Micron, uno de los principales
proveedores de soluciones de semiconductores, ha anunciado recientemente
el desarrollo y lanzamiento de módulos de memoria RAM DDR4.
Los kits han sido desarrollados en colaboración con Nanya y fabricados
en proceso de 30 nm. Estarán disponibles en velocidades desde los 2400
MT/s hasta 3200 MT/s. "Con la definición de JEDEC sobre el estándar DDR4
muy cerca de su finalización, hemos hecho un esfuerzo significativo en
asegurar que nuestro producto DDR4 sea antes que nada compatible con
JEDEC, ya que puede estar en la última etapa de su desarrollo", dijo
Brian Shirley, vicepresidente de soluciones de DRAM de Micron, en una
declaración preparada.
"Hemos proporcionado muestras a los socios clave
en el mercado con la confianza de que la suerte que les damos ahora sea
la misma que tendrá la producción en masa". El proyecto de adquisición
de Elpida Memory por parte de Micron podría incrementar su participación
en el mercado de las DRAM a una estimación del 25% de acuerdo con la
firma de investigación de mercados IHS.
La compañía podría convertirse
en un serio competidor de Samsung, que anunció el primer módulo de
memoria DDR4 en enero del año pasado.
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